型号:SI7888DP-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:PowerPAK? SO-8 | 描述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 9.4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 12 毫欧 @ 12.4A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 10.5nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
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深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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- SQCAEM2R2BAJME
陶瓷
AVX Corporation
0605(1613 公制)
CAP CER 2.2PF 150V 0605
- RT0603DRD0712K4L
芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0603(1608 公制)
RES 12.4K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- SQCBEA751FAJME
陶瓷
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1111(2828 公制)
CAP CER 750PF 150V 1% 1111
- SHIPLBL-088
标签,标记
3M (TC)
LABEL 5X3" RED ON WHITE 500/PK
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径向
CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
- SI7872DP-T1-E3
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PowerPAK? SO-8
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
- RT0603DRD0713K3L
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Yageo
0603(1608 公制)
RES 13.3K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- SQCBEA821JATME
陶瓷
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1111(2828 公制)
CAP CER 820PF 150V 5% 1111
- SHIPLBL-088-50
标签,标记
3M (TC)
LABEL 5X3" RED ON WHITE 50/PK
- SQCAEM2R2BATME\500
陶瓷
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0605(1613 公制)
CAP CER 2.2PF 150V 0605
- SR891C153KARTR1
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AVX Corporation
径向
CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL
- SI7882DP-T1-E3
FET - 单
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PowerPAK? SO-8
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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0603(1608 公制)
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标签,标记
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径向
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1111(2828 公制)
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- SR217A330JAR
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0605(1613 公制)
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- RT0603DRD07140KL
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0603(1608 公制)
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- SI4840BDY-T1-E3
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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- SR217A561JARTR1
陶瓷
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径向
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AVX Corporation
0605(1613 公制)
CAP CER 2.4PF 150V 0605
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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- SQCAEM2R7BA7WE
陶瓷
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0605(1613 公制)
CAP CER 2.7PF 150V 0605